- توضیحات محصول
- مشخصات فنی
ترانزیستور BUK765R2
MOSFET یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانا - اکسید - فلز(Metal–Oxide–Semiconductor Field-effect Transistor) معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. در ترانزیستور اثرمیدان (FET) چنانکه از نامش پیداست ، پایهٔ کنترلی ، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا ، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود . از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد . ترانزیستور BUK765R2 یک ماسفت منفی مورد استفاده در خودروهای بنز و BMW می باشد .
کاتالوگ محصول : دیتاشیت آی سی BUK765R2
N-channel TrenchMOS standard level FET
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
Features:
- Q101 compliant
- Suitable for standard level gate drive sources
- Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
- 12 V loads
- Automotive systems
- General purpose power switching
- Motors, lamps and solenoids
| مرسدس بنز, بی ام دبلیو, سایر | |
| موتور | |
| تقویت کننده | |
| D2PAK | |
| 3 | |
| NXP |
