ترانزیستور IRLR2905

ترانزیستور L2905

MOSFET یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌ رسانا - اکسید - فلز(Metal–Oxide–Semiconductor Field-effect Transistor) معروف‌ ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. در ترانزیستور اثرمیدان (FET) چنانکه از نامش پیداست ، پایهٔ کنترلی ، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا ، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود . از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد . از ترانزیستور IRLR2905 در ایسیو SSAT  بایفیول جهت راه اندازی انژکتورهای گاز استفاده می گردد.

 کاتالوگ محصول : دیتاشیت آی سی IRLR2905

Power MOSFET

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

Features:

• Logic-Level Gate Drive
• Ultra Low On-Resistance
• Surface Mount (IRLR2905)
• Straight Lead (IRLU2905)
• Advanced Process Technology
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated