آی سی IDT71256

آی سی IDT71256

آی سی IDT71256 یک رم استاتیک می باشد . SRAM یک نوع حافظه RAM است که طبیعتا مثل حافظه های RAM دیگر یک نوع حافظه فرار یا volatile است و این بدین معناست که با رفتن برق از داخل این حافظه اطلاعات موجود در آن نیز حذف خواهد شد. در یک SRAM هر بیتی که داده در آن ذخیره می شود از چهار یا شش عدد ترانزیستور تشکیل شده است که با همدیگر تشکیل یک flip-flop را می دهند. همچنین تعداد دیگری ترانزیستور نیز در این نوع حافظه وجود دارد که دسترسی خواندن و نوشتن به سلول های موجود در برای ذخیره سازی داده را کنترل می کنند. شاید قبلا یک SRAM ساده از شش عدد ترانزیستور برای ذخیره سازی هر بیت داده استفاده می کرد اما امروزه SRAMهایی وجود دارند که می توانند از 8 یا 10 یا حتی بیشتر از این تعداد ترانزیستور برای ذخیره سازی یک بیت داده استفاده کنند. زمانیکه تعداد ترانزیستورها کاهش پیدا می کند اندازه سلول های حافظه هم کاهش پیدا می کند ، هر کدام از سلول های موجود در یک SRAM می توانند در سه حالت قرار داشته باشند که به ترتیب Read و Write و حالت Standby می باشد. یک سلول زمانی در حالت Read قرار می گیرد که درخواستی به آن ارسال می شود و زمانی در حالت Write قرار می گیرد که داده های موجود در آن تغییر کرده باشند ، سلول در زمانیکه از آن استفاده نمی شود در حالت Standby قرار می گیرد.  از آی سی CY62256NLL به عنوان جایگزین این آی سی می توان استفاده نمود . 

کاتالوگ محصول : دیتاشیت آی سی IDT71256

CMOS STATIC RAM

The IDT71256 is a 262,144-bit high-speed static RAM organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability CMOS technology.Address access times as fast as 20ns are available with power consumption of only 350mW (typ.). The circuit also offers a reduced power standby mode. When CS goes HIGH, the circuit will automatically go to, and remain in, a low-power standby mode as long as CS remains HIGH. In the full standby mode, the low-power device consumes less than 15µW, typically. This capability provides significant system level power and cooling savings. The low-power (L) version also offers a battery backup data retention capability where the circuit typically consumes only 5µW when operating off a 2V battery.The lDT71256 is packaged in a 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP, a 28-pin 300 mil J-bend SOlC, and a 28-pin (600 mil) plastic DIP, and 32-pin LCC providing high board-level packing densities.The IDT71256 military RAM is manufactured in compliance with the latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally suited to military temperature applications demanding the highest level of performance and reliability.

Features

• High-speed address/chip select time

   -  Military: 25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns (max.)

    - Commercial: 20/25/35/45ns (max.) Low Power only.

• Low-power operation
• Battery Backup operation — 2V data retention
• Produced with advanced high-performance CMOS technology
• Input and output directly TTL-compatible
• Available in standard 28-pin (300 or 600 mil) ceramic DIP, 28-pin (600 mil) plastic DIP, 28-pin (300 mil) SOJ and 32-pin LCC
• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B